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SPI电子纸墨水屏电路设计-MOS管选型

SPI电子纸墨水屏电路设计-MOS管选型

  • 分类:技术支持
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-10-25 21:57
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【概要描述】

SPI电子纸墨水屏电路设计-MOS管选型

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SPI电子纸墨水屏电路设计-MOS管选型

 

对于这部分,我们建议,MOS管应当采用Si1304BDL或者Si1308EDL。

MOSFETsVBsemiSI1304BDL

规格书: 487ed739fd7bf4abe2bed04936ead327.pdf

 

配置 : Single
阈值电压Vgs(th) : 1.3V
FET类型 : N-Channel
包装 : Tape/reel
漏源导通电阻 RDS(on) : 36mΩ
功率耗散 : 2.8W
栅极源极击穿电压 : ±12V
漏源击穿电压BVDSS : 20V
极性 : N-Channel
元件生命周期 : Active
存储温度 : -55~+150℃
引脚数 : 3Pins
高度 : 1.10mm
长x宽/尺寸 : 2.00 x 1.25mm
认证信息 : RoHS,HF(halogen free)
最小包装 : 3000pcs
原产国家 : America
原始制造商 : VBsemi Electronics Co. Ltd
品牌 : VBsemi
栅极电荷 : 8.8nC
是否无铅 : Yes
零件状态 : Active
漏源电压(Vdss) : 20V
连续漏极电流Id@25℃ : 1A
工作温度(Tj) : -55~+150℃
安装类型 : SMT
封装/外壳 : SC70
N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)2.8W

 

SI1308EDL-T1-GE3 规格参数
规格书 :https://www.findic.com/doc/browser/keRaOEwdL?doc_id=59485237#locale=zh-CN

针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性   N-Channel
耗散功率 0.4 W
阈值电压 600 mV
输入电容 105 pF
漏源极电压(Vds) 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.5A
上升时间 20 ns
输入电容(Ciss) 105pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 500 mW
下降时间 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃
耗散功率(Max) 400 mW

 

 

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